描述
AP2012采用先進的溝槽技術(shù)，提供卓越的電流(On)，低柵極電荷和柵極電壓低至1.8V的工作。該器件適用于負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。
一般特征
●Vos=20V,Io=12ARosjoN)<11mQ@Vcs=4.5VRosjoN)<13mΩ@Vcs=2.5V●高功率和電流能力●獲得無鉛產(chǎn)品●表面貼裝封裝
應(yīng)用程序
●單向負(fù)載開關(guān)●雙向負(fù)載開關(guān)
原理圖
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