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設(shè)計(jì)MOS管開關(guān)電路，通常會(huì)考慮它的導(dǎo)通電阻、最大電壓和電流，僅僅考慮這些事完全不夠的，正常情況下，電路也可以使用，不需要這些因素。而真正重要的因素，是考慮驅(qū)動(dòng)電路，它會(huì)影響MOS管的開關(guān)性能。

MOS管的驅(qū)動(dòng)電路有兩個(gè)要點(diǎn)：

1、瞬態(tài)驅(qū)動(dòng)電流要夠大，所謂驅(qū)動(dòng)MOS管，主要就是對(duì)MOS管門極的寄生電容的充電放電，也就是打開和關(guān)閉MOS管

2、NMOS的Vgs(門-源電壓)高于4V即可導(dǎo)通，PMOS的Vgs(門-源電壓)低于4V即可導(dǎo)通

直接驅(qū)動(dòng)NMOS

R1為負(fù)載

僅適用于NMOS低端驅(qū)動(dòng)，因?yàn)镹MOS導(dǎo)通的條件是：Vgs高于4V左右，5V的PWM波剛好滿足要求（3.3V的低壓?jiǎn)纹瑱C(jī)這里就有無(wú)法完全打開NMOS的風(fēng)險(xiǎn)，表現(xiàn)為MOS發(fā)熱，或者負(fù)載兩端電壓過(guò)低）

推挽輸出（圖騰柱式驅(qū)動(dòng)）

R1為負(fù)載

這個(gè)電路是共射極放大電路，主要是起到放大MOS管門極的驅(qū)動(dòng)電流，不能放大電壓，

適用于NMOS低端驅(qū)動(dòng)，單片機(jī)直接驅(qū)動(dòng)MOS管的門極時(shí)，電流不夠，開關(guān)速度過(guò)慢，MOS管發(fā)熱時(shí)，可以增加驅(qū)動(dòng)電流，實(shí)現(xiàn)更快速的MOS管的開關(guān)

一種變換電壓的推挽式驅(qū)動(dòng)電路

R3為負(fù)載

如果采用PMOS作為高端驅(qū)動(dòng)的話，那么關(guān)斷PMOS就要使門極電壓至少等于源極電壓

采用兩個(gè)NPN三極管+ 一個(gè)二極管，實(shí)現(xiàn)給PMOS門極0V~12V的快速變換

當(dāng)然也可以用于NMOS的低端驅(qū)動(dòng)

此電路同時(shí)適用于3.3V輸出的單片機(jī)

采用半橋芯片實(shí)現(xiàn)半橋驅(qū)動(dòng)電路

EG3013等半橋芯片的好處是：

1、可以使用兩個(gè)NMOS實(shí)現(xiàn)半橋電路，便宜

2、自舉升壓電路，方便

3、自帶死區(qū)控制（避免兩個(gè)MOS同時(shí)導(dǎo)通），安全

缺點(diǎn)嘛。。。有點(diǎn)慢，高頻閃爍來(lái)控制亮度的話，不太行，如果是控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)，低頻啟停用電器話，肯定是沒(méi)問(wèn)題的。而且，不一定是用來(lái)做半橋，單拿出一路也能直接驅(qū)動(dòng)NMOS，做高低端驅(qū)動(dòng)都可以。

驅(qū)動(dòng)電路它的特性，決定了MOS管的性能，這部分的因素還是比較大的。對(duì)于這部分的內(nèi)容，上述已經(jīng)講了很具體了，大家可以了解一下。