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mos管是FET的一種，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道m(xù)os管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小且容易制造。

MOS管的驅(qū)動電路有兩個要點：

1、瞬態(tài)驅(qū)動電流要夠大，所謂驅(qū)動MOS管，主要就是對MOS管門極的寄生電容的充電放電，也就是打開和關閉MOS管

2、NMOS的Vgs（門-源電壓）高于4V即可導通，PMOS的Vgs（門-源電壓）低于4V即可導通

直接驅(qū)動NMOS

R1為負載

僅適用于NMOS低端驅(qū)動，因為NMOS導通的條件是：Vgs高于4V左右，5V的PWM波剛好滿足要求（3.3V的低壓單片機這里就有無法完全打開NMOS的風險，表現(xiàn)為MOS發(fā)熱，或者負載兩端電壓過低）

推挽輸出

R1為負載

這個電路是共射極放大電路，主要是起到放大MOS管門極的驅(qū)動電流，不能放大電壓，

適用于NMOS低端驅(qū)動，單片機直接驅(qū)動MOS管的門極時，電流不夠，開關速度過慢，MOS管發(fā)熱時，可以增加驅(qū)動電流，實現(xiàn)更快速的MOS管的開關

一種變換電壓的推挽式驅(qū)動電路

R3為負載

如果采用PMOS作為高端驅(qū)動的話，那么關斷PMOS就要使門極電壓至少等于源極電壓

采用兩個NPN三極管+ 一個二極管，實現(xiàn)給PMOS門極0V~12V的快速變換

當然也可以用于NMOS的低端驅(qū)動

此電路同時適用于3.3V輸出的單片機