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mos管是FET的一種，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道mos管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小且容易制造。
MOS管的驅動電路有兩個要點：
1、瞬態驅動電流要夠大，所謂驅動MOS管，主要就是對MOS管門極的寄生電容的充電放電，也就是打開和關閉MOS管
2、NMOS的Vgs（門-源電壓）高于4V即可導通，PMOS的Vgs（門-源電壓）低于4V即可導通
直接驅動NMOS
R1為負載
僅適用于NMOS低端驅動，因為NMOS導通的條件是：Vgs高于4V左右，5V的PWM波剛好滿足要求（3.3V的低壓單片機這里就有無法完全打開NMOS的風險，表現為MOS發熱，或者負載兩端電壓過低）
推挽輸出
R1為負載
這個電路是共射極放大電路，主要是起到放大MOS管門極的驅動電流，不能放大電壓，
適用于NMOS低端驅動，單片機直接驅動MOS管的門極時，電流不夠，開關速度過慢，MOS管發熱時，可以增加驅動電流，實現更快速的MOS管的開關
一種變換電壓的推挽式驅動電路
R3為負載
如果采用PMOS作為高端驅動的話，那么關斷PMOS就要使門極電壓至少等于源極電壓
采用兩個NPN三極管+ 一個二極管，實現給PMOS門極0V~12V的快速變換
當然也可以用于NMOS的低端驅動
此電路同時適用于3.3V輸出的單片機
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